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推拉力測(cè)試機(jī)在電源IC封裝中的關(guān)鍵應(yīng)用:技術(shù)要點(diǎn)與實(shí)操技巧

 更新時(shí)間:2025-07-17 點(diǎn)擊量:17

在當(dāng)今電子設(shè)備高度集成的時(shí)代,電源IC芯片作為電子系統(tǒng)的"心臟",其可靠性和穩(wěn)定性直接關(guān)系到整個(gè)設(shè)備的性能表現(xiàn)。隨著芯片封裝技術(shù)向小型化、高密度方向發(fā)展,對(duì)封裝質(zhì)量的測(cè)試要求也日益嚴(yán)格。

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科準(zhǔn)測(cè)控小編特別整理了電源IC芯片封裝測(cè)試的全面指南,從基本原理到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),從專業(yè)測(cè)試設(shè)備到詳細(xì)操作流程,幫助行業(yè)同仁系統(tǒng)掌握這一關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)。本文將重點(diǎn)介紹推拉力測(cè)試在電源IC封裝可靠性評(píng)估中的關(guān)鍵作用,以及如何通過(guò)Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)等專業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測(cè)量,確保芯片封裝質(zhì)量滿足嚴(yán)苛的應(yīng)用需求。

 

一、電源IC芯片封裝測(cè)試原理

電源IC芯片封裝測(cè)試的核心目的是評(píng)估封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度和連接可靠性,主要基于以下原理:

機(jī)械應(yīng)力原理:通過(guò)施加精確控制的推力或拉力,模擬芯片在實(shí)際應(yīng)用中可能受到的機(jī)械應(yīng)力,包括熱應(yīng)力、振動(dòng)應(yīng)力等。

界面強(qiáng)度理論:測(cè)試焊球(Bump)、引線鍵合(Wire Bond)或芯片貼裝(Die Attach)等關(guān)鍵界面的結(jié)合強(qiáng)度,評(píng)估其抵抗分層、斷裂的能力。

失效模式分析:根據(jù)測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的失效模式(如焊球脫落、引線斷裂、基板剝離等),判斷封裝工藝的薄弱環(huán)節(jié)。

統(tǒng)計(jì)可靠性原理:通過(guò)大量樣本測(cè)試,統(tǒng)計(jì)分析封裝結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度分布,預(yù)測(cè)產(chǎn)品在實(shí)際使用環(huán)境中的可靠性表現(xiàn)。

 

二、電源IC封裝測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

電源IC封裝測(cè)試需遵循多項(xiàng)國(guó)際和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn):

1JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

JESD22-B104 (機(jī)械沖擊)

JESD22-B105 (引線鍵合強(qiáng)度)

JESD22-B109 (焊球剪切)

2、IPC標(biāo)準(zhǔn)

IPC-9701 (表面貼裝焊點(diǎn)性能測(cè)試)

IPC/JEDEC-9702 (板級(jí)跌落測(cè)試)

MIL-STD標(biāo)準(zhǔn):

MIL-STD-883 (微電子器件測(cè)試方法)

3、行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)

焊球剪切強(qiáng)度:通常要求≥6gf/mil2

引線鍵合拉力:1.0mil金線≥3gf,1.0mil鋁線≥2gf

芯片剪切強(qiáng)度:≥5kgf/mm2

 

三、測(cè)試儀器:

1、Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)

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1、設(shè)備介紹

Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)是一款專為微電子封裝行業(yè)設(shè)計(jì)的高精度測(cè)試設(shè)備。它能夠滿足多種封裝形式的測(cè)試需求,包括QFN、BGA、CSPTSOP等,并支持靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的拉力、推力及剪切力測(cè)試。其廣泛的應(yīng)用范圍覆蓋了半導(dǎo)體封裝、LED封裝、光電子器件、PCBA電子組裝、汽車電子以及航空航天等多個(gè)領(lǐng)域。

2、應(yīng)用場(chǎng)景

焊球剪切/拉力測(cè)試

金線拉力測(cè)試

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芯片粘結(jié)強(qiáng)度測(cè)試

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材料界面結(jié)合力測(cè)試

3、優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

高精度力值測(cè)量

多種測(cè)試模式可選

可編程自動(dòng)化測(cè)試

數(shù)據(jù)采集分析系統(tǒng)完善

四、電源IC封裝測(cè)試流程

步驟一、測(cè)試前準(zhǔn)備

樣品預(yù)處理:按標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行溫濕度調(diào)節(jié)(通常85°C/85%RH,24h)

設(shè)備校準(zhǔn):使用標(biāo)準(zhǔn)砝碼校準(zhǔn)力傳感器

測(cè)試程序選擇:根據(jù)封裝類型選擇對(duì)應(yīng)測(cè)試模式

步驟二、焊球剪切測(cè)試流程

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將樣品固定在測(cè)試平臺(tái)上

通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)定位待測(cè)焊球

設(shè)置剪切參數(shù)(高度、速度等)

啟動(dòng)測(cè)試,刀具以設(shè)定速度推切焊球

記錄最大剪切力和失效模式

重復(fù)測(cè)試至少30個(gè)焊球以獲得統(tǒng)計(jì)意義數(shù)據(jù)

步驟三、引線鍵合拉力測(cè)試流程

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選擇合適鉤針(通常1mil金線用25μm鉤針)

定位待測(cè)引線,鉤針置于引線中央

以恒定速度垂直向上施力

記錄斷裂時(shí)的最大拉力值

分析斷裂位置(焊點(diǎn)、引線中段或頸部)

步驟四、芯片剪切測(cè)試流程

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將樣品固定在專用夾具上

測(cè)試頭定位至芯片邊緣

以設(shè)定速度平行推擠芯片

記錄芯片脫離時(shí)的最大剪切力

計(jì)算單位面積剪切強(qiáng)度

步驟五、數(shù)據(jù)分析與報(bào)告

統(tǒng)計(jì)計(jì)算平均值、標(biāo)準(zhǔn)差、CPK等參數(shù)

分析失效模式分布

與標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)比,判斷批次合格性

生成包含力-位移曲線、失效照片的測(cè)試報(bào)告

 

五、測(cè)試注意事項(xiàng)

環(huán)境控制:測(cè)試應(yīng)在23±3°C,45-75%RH環(huán)境下進(jìn)行

操作規(guī)范:避免測(cè)試頭與樣品非目標(biāo)部位接觸

數(shù)據(jù)有效性:剔除明顯異常值(如測(cè)試位置錯(cuò)誤導(dǎo)致的數(shù)據(jù))

設(shè)備維護(hù):定期清潔測(cè)試頭,校準(zhǔn)傳感器

安全防護(hù):設(shè)置合理的力值上限,防止設(shè)備過(guò)載

 

 

以上就是小編介紹的有關(guān)于電源IC芯片封裝測(cè)試相關(guān)內(nèi)容了,希望可以給大家?guī)?lái)幫助!如果您還想了解更多關(guān)于推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻 ,焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題,歡迎您關(guān)注我們,也可以給我們私信和留言,【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案。